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ZXMN10A11G 其他数据使用手册 - Vishay Semiconductor（威世）
制造商:
Vishay Semiconductor（威世）
分类:
MOS管
封装:
SOT-223
描述:
DIODES INC. ZXMN10A11G 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 100 V, 600 mohm, 10 V, 4 V
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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应用领域在P1P11
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ZXMN10A11G数据手册
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PHT4NQ10T
TrenchMOS™ standard level FET
Rev. 02 — 2 May 2002 Product data
M3D087
1. Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using
TrenchMOS™ technology.
Product availability:
PHT4NQ10T in SOT223.
2. Features
■ TrenchMOS™ technology
■ Very fast switching
■ Surface mount package.
3. Applications
■ Primary side switch in DC to DC converters
■ High speed line driver
■ Fast general purpose switch.
4. Pinning information
Table 1: Pinning - SOT223, simplified outline and symbol
Pin Description Simplified outline Symbol
1 gate (g)
SOT223
2 drain (d)
3 source (g)
4 drain (d)
4
123
MSB002 - 1
Top view
s
d
g
MBB076
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