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BAS21SLT1G
0.027
BAS21SLT1G 数据手册 (4 页)
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BAS21SLT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电流
225 mA
电容
5.00 pF
封装
SOT-23-3
无卤素状态
Halogen Free
针脚数
3 Position
正向电压
1.25V @200mA
功耗
225 mW
反向恢复时间
50 ns
正向电流
225 mA
最大正向浪涌电流
625 mA
正向电压(Max)
1.25 V
正向电流(Max)
225 mA
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
工作结温(Max)
150 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

BAS21SLT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.04 mm
宽度
1.4 mm
高度
1.01 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

BAS21SLT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.67 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.03 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.31 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.06 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.13 MByte

BAS21SLT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
双系列高压开关二极管 Dual Series High Voltage Switching Diode
Jiangsu Changjiang Electronics Technology
Leshan Radio(乐山无线电)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BAS21SLT1G.  小信号二极管
Leshan Radio(乐山无线电)
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