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2N4264 其他数据使用手册 - ON Semiconductor（安森美）
制造商:
ON Semiconductor（安森美）
分类:
双极性晶体管
封装:
TO-92
描述:
通用晶体管（ NPN硅） General Purpose Transistor(NPN Silicon)
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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封装尺寸在P6
技术参数、封装参数在P1
电气规格在P1P2
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2N4264数据手册
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2N4264
4
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
“ON” CONDITION CHARACTERISTICS
Figure 5. Collector Saturation Region
I
B
, BASE CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
0.1
V , MAXIMUM COLLECTOR–EMITTER
0.5 2.0 3.0 500.2 0.3
0
1.00.7 5.0 7.0
CE
I
C
= 10 mA 50 mA
100 mA
200 mA
2N4264
T
J
= 25
°
C
20 3010
VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Saturation Voltage Limits
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.2
Figure 7. Temperature Coefficients
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.0 2.0 5.0 10 20
50
0
100
–0.5
0
0.5
1.0
0 80 120 16040
200
–1.0
–1.5
–2.0
200
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25
°
C
MAX V
BE(sat)
(25
°
C to 125
°
C)
(–55
°
C to 25
°
C)
q
VC
for V
CE(sat)
q
VB
for V
BE
V
, TEMPERATURE COEFFICIENTS (mV/ C)
°θ
V
sat
, SATURATION VOLTAGE (VOLTS)
3.0 7.0 30
70
MIN V
BE(sat)
MAX V
CE(sat)
(25
°
C to 125
°
C)
(–55
°
C to 25
°
C)
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