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2SAR542DTL 其他数据使用手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
制造商:
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:
双极性晶体管
封装:
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2SAR542DTL数据手册
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Data Sheet
2SAR533P
lElectrical characteristics(Ta = 25°C)
*1 Pulsed
*2 See switching time test circuit
lSwitching time test circuit
-
ns
ns
Storage time
t
stg
*2
-
250
-
ns
Turn-on time
t
on
*2
I
C
= -1.5A
I
B1
= -150mA
I
B2
=150mA
V
CC
⋍ -10V
-
45
-
Fall time
t
f
*2
-
35
MHz
Output capacitance
C
ob
V
CB
= -10V, I
E
= 0A
f = 1MHz
-
24
-
pF
Transition frequency
f
T
V
CE
= -10V, I
E
= -500mA
f=100MH
Z
-
300
-
V
DC current gain
h
FE
V
CE
= -3V, I
C
= -50mA
180
-
450
-
Collector-emitter
saturation voltage
V
CE(sat)
*1
I
C
= -1A, I
B
= -50mA
-
-0.20
-0.40
mA
Emitter cut-off current
I
EBO
V
EB
= -4V
-
-
-1
mA
Collector cut-off current
I
CBO
V
CB
= -50V
-
-
-1
V
Emitter-base
breakdown voltage
BV
EBO
I
E
= -100mA
-6
-
-
V
Collector-base
breakdown voltage
BV
CBO
I
C
= -100mA
-50
-
-
Unit
Collector-emitter
breakdown voltage
BV
CEO
I
C
= -1mA
-50
-
-
V
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Typ.
Max.
2/6
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