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￥ 731.359
CSD87355Q5DT 其他数据使用手册 - TI（德州仪器）
制造商:
TI（德州仪器）
分类:
晶体管
封装:
LSON-CLIP-8
描述:
30V、N 沟道同步降压 NexFET MOSFET™、SON5x6 电源块、45A 8-LSON-CLIP -55 to 150
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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CSD87355Q5DT数据手册
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83
86
89
92
95
0
1
2
3
4
5
6
Output Current (A)
Efficiency (%)
Power Loss (W)
V
GS
= 5V
V
IN
= 12V
V
OUT
= 1.3V
L
OUT
= 0.3µH
f
SW
= 500kHz
T
A
= 25ºC
P0116-01
1
2
3
V
SW
V
SW
V
SW
4
B
G
5
T
GR
6
T
G
P
GND
(Pin9)
7
V
IN
8
V
IN
Product
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Tools &
Software
Support &
Community
An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,
intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.
English Data Sheet: SLPS287
CSD87351Q5D
ZHCS132E –MARCH 2011–REVISED FEBRUARY 2017
CSD87351Q5D 同同步步降降压压 NexFET™ 电电源源块块
1
1 特特性性
1
• 半桥电源块
• 电流 20A 时，系统效率达到 90%
• 高达 32A 的运行电流
• 高频工作（高达 1.5MHz）
• 高密度 SON 5mm × 6mm 封装
• 针对 5V 栅极驱动进行了优化
• 开关损耗较低
• 超低电感封装
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• 无铅引脚镀层
2 应应用用范范围围
• 同步降压转换器
– 高频 应用
– 高电流、低占空比 应用
• 多相位同步降压转换器
• 负载点 (POL) 直流 - 直流转换器
• IMVP、VRM 和 VRD 应用
3 说说明明
此CSD87351Q5D NexFET™电源块是面向同步降压
应用 的优化设计方案，能够以 5mm × 6mm 的小巧外
形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对
5V 栅极驱动 应用进行了优化，可提供一套灵活的解决
方案，在与来自外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱
动配套使用时，均可提供高密度电源。
俯俯视视图图
器器件件信信息息
(1)
器器件件 包包装装介介质质 数数量量 封封装装 运运输输
CSD87351Q5D 13 英寸卷带 2500
SON
5.00mm × 6.00mm
塑料封装
卷带封
装
(1) 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。
典典型型电电路路
典典型型电电源源块块效效率率与与功功率率损损耗耗
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