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FDC6333C
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FDC6333C数据手册
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October 2001
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FDC6333C Rev C (W)
FDC6333C
30V N & P-Channel PowerTrench
MOSFETs
General Description
These N & P-Channel MOSFETs are produced using
Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench
process that has been especially tailored to minimize
on-state resistance and yet maintain superior
switching performance.
These devices have been designed to offer
exceptional power dissipation in a very small footprint
for applications where the bigger more expensive
SO-8 and TSSOP-8 packages are impractical.
Applications
DC/DC converter
Load switch
LCD display inverter
Features
Q1 2.5 A, 30V. R
DS(ON)
= 95 m @ V
GS
= 10 V
R
DS(ON)
= 150 m @ V
GS
= 4.5 V
Q2 –2.0 A, 30V. R
DS(ON)
= 150 m @ V
GS
= –10 V
R
DS(ON)
= 220 m @ V
GS
= –4.5 V
Low gate charge
High performance trench technology for extremely
low R
DS(ON)
.
SuperSOT –6 package: small footprint (72% smaller than
SO-8); low profile (1mm thick).
D1
S2
G1
D2
S1
G2
SuperSOT -6
TM
Pin 1
SuperSOT™-6
3
2
1
4
5
6
Q1(N)
Q2(P)
Absolute Maximum Ratings T
A
=25
o
C unless otherwise noted
Symbol Parameter Q1 Q2 Units
V
DSS
Drain-Source Voltage 30 –30 V
V
GSS
Gate-Source Voltage ±16 ±25 V
I
D
Drain Current – Continuous (Note 1a) 2.5 –2.0 A
– Pulsed 8 –8
Power Dissipation for Single Operation (Note 1a) 0.96
(Note 1b)
0.9
P
D
(Note 1c)
0.7
W
T
J
, T
STG
Operating and Storage Junction Temperature Range –55 to +150
°C
Thermal Characteristics
R
θJA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a) 130
°C/W
R
θJC
Thermal Resistance, Junction-to-Case (Note 1) 60
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking Device Reel Size Tape width Quantity
.333 FDC6333C 7’’ 8mm 3000 units
FDC6333C

FDC6333C 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.09 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.19 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.09 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
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FDC6333 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC6333C  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 2.5 A, 30 V, 0.095 ohm, 10 V, 1.8 V
ON Semiconductor(安森美)
PowerTrench® 双 N/P 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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