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IRF1010EPBF
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IRF1010EPBF数据手册
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Strangkühlkörper Extruded heatsinks Dissipateurs extrudés
für Leiterplattenmontage for PCB mounting pour montage PCB
A 97
Transistorhaltefedern Retaining springs for transistors Ressort de retenue pour transistors A 93 – 95
Einpressniet Snap rivet Rivet encastrable E 21
Montagesätze zur Isolation Mounting kits for insulating Jeux de montage pour isolation
von Leistungstransistoren power transistors de transistors de puissance E 21
P = erhöhter Arretierungspunkt P = raised retaining stud P = point d’arrêt surélevé
E = Einbauart E = fixing method E = manière de fixation
für Halbleiter Clipmontage for semiconductor clip assembly pour semiconducteur fixé par clip
Art. Nr.
Art. No.
Art. n°
SK 104 25,4 …
SK 104 38,1 …
SK 104 50,8 …
SK 104 63,5 …
[mm]
25,4
38,1
50,8
63,5
R
W
[K/W]
14
11
9
8
TO 220
Oberfläche schwarz eloxiert Surface black anodised Surface anodisée noire
Sonderlängen und Sondertransistor- Special lengths and transistor Longueurs et perçages de boîtier spéciales
lochungen auf Anfrage. drillings on request. sur demande.
bitte angeben:
Einbauart:
STC = mit Lötstiften
STIC = mit Lötstiften
und Isolierring
STCB = mit M3 Gewindebolzen,
Messing
please indicate:
fixing method:
STC = with solder pins
STIC = with solder pins
and insulating washer
STCB = with M3 threaded bolts,
brass
veuillez indiquer:
manière de fixation:
STC = avec broches à souder
STIC = avec broches à souder
et bague d’isolation
STCB = avec M3 boulon fileté,
laiton
3
Ø 2,3 max.
6 max.
Ø 6
4,5 max.
Ø 2,3 max.
1,5
M3
6,5
Ø 7
…STC …STIC …STCB
10,8
18,3
3,2
25,4
P
E
6,5
25,4
12,7
1,5
16
34,9
A

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Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF1010NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 68 A, 55 V, 0.011 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF1010EZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 84 A, 60 V, 8.5 mohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF1010EPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 60V, 84A TO-220AB 新
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N 沟道 60 V 200 W 130 nC Hexfet 功率 MOSFET 表面贴装 - D2PAK
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IRF1010NSTRRPBF D2PAK
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
Infineon(英飞凌)
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