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MMBD1503 其他数据使用手册 - Secos
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Secos
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MMBD1503数据手册
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MMBD1501A / MMBD1503A / MMBD1504A / MMBD1505A — Small Signal Diodes
© 1993 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com
MMBD1501A / MMBD1503A / MMBD1504A / MMBD1505A Rev. 2.6 2
Thermal Characteristics
Values are at T
A
= 25°C unless otherwise noted.
Electrical Characteristics
Values are at T
A
= 25°C unless otherwise noted.
Symbol Parameter Value Unit
P
D
Power Dissipation 350 mW
R
JA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient 357 C/W
Symbol Parameter Conditions Min. Max. Unit
V
R
Breakdown Voltage I
R
= 5.0 A200V
V
F
Forward Voltage
I
F
= 1.0 mA 620 720 mV
I
F
= 10 mA 720 830 mV
I
F
= 50 mA 800 890 mV
I
F
= 100 mA 830 930 mV
I
F
= 200 mA 0.87 1.10 V
I
F
= 300 mA 0.90 1.15 V
I
R
Reverse Current
V
R
= 125 V 1.0 nA
V
R
= 125 V, T
A
= 150°C 3.0 A
V
R
= 180 V 10.0 nA
V
R
= 180 V, T
A
= 150°C 5.0 A
C
T
Total Capacitance V
R
= 0, f = 1.0 MHz 4.0 pF
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