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￥ 2.937
STD35P6LLF6 其他数据使用手册 - ST Microelectronics（意法半导体）
制造商:
ST Microelectronics（意法半导体）
分类:
MOS管
封装:
TO-252-3
描述:
STD35P6LLF6 编带
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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STD35P6LLF6数据手册
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April 2017
DocID025600 Rev 3
1/16
This is information on a product in full production.
www.st.com
STD35P6LLF6
P-channel 60 V, 0.025 Ω typ., 35 A STripFET™ F6
Power MOSFET in a DPAK package
Datasheet - production data
Figure 1: Internal schematic diagram
Features
Order code
V
DSS
R
DS(on)
max.
I
D
P
TOT
STD35P6LLF6
60 V
0.028 Ω
35 A
70 W
Very low on-resistance
Very low gate charge
High avalanche ruggedness
Low gate drive power loss
Applications
Switching applications
Description
This device is a P-channel Power MOSFET
developed using the STripFET™ F6 technology,
with a new trench gate structure. The resulting
Power MOSFET exhibits very low R
DS(on)
in all
packages.
Table 1: Device summary
Order code
Marking
Package
Packaging
STD35P6LLF6
35P6LLF6
DPAK
Tape and Reel
AM11258v1
D(2, TAB)
S(3)
G(1)
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