Web Analytics
Datasheet 搜索 > 微控制器 > ST Microelectronics(意法半导体) > STM32F103CBT6 数据手册 > STM32F103CBT6 其他数据使用手册 5/118 页
STM32F103CBT6
器件3D模型
5.918
导航目录
STM32F103CBT6数据手册
Page:
of 118 Go
若手册格式错乱,请下载阅览PDF原文件
DocID13587 Rev 17 5/117
STM32F103x8, STM32F103xB List of tables
6
List of tables
Table 1. Device summary . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Table 2. STM32F103xx medium-density device features and peripheral counts . . . . . . . . . . . . . . . 10
Table 3. STM32F103xx family . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
Table 4. Timer feature comparison. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
Table 5. Medium-density STM32F103xx pin definitions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
Table 6. Voltage characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
Table 7. Current characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
Table 8. Thermal characteristics. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
Table 9. General operating conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
Table 10. Operating conditions at power-up / power-down . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
Table 11. Embedded reset and power control block characteristics. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
Table 12. Embedded internal reference voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
Table 13. Maximum current consumption in Run mode, code with data processing
running from Flash . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
Table 14. Maximum current consumption in Run mode, code with data processing
running from RAM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
Table 15. Maximum current consumption in Sleep mode, code running from Flash or RAM. . . . . . . 44
Table 16. Typical and maximum current consumptions in Stop and Standby modes . . . . . . . . . . . . 45
Table 17. Typical current consumption in Run mode, code with data processing
running from Flash . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
Table 18. Typical current consumption in Sleep mode, code running from Flash or
RAM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
Table 19. Peripheral current consumption . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
Table 20. High-speed external user clock characteristics. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
Table 21. Low-speed external user clock characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
Table 22. HSE 4-16 MHz oscillator characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
Table 23. LSE oscillator characteristics (f
LSE
= 32.768 kHz) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
Table 24. HSI oscillator characteristics. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
Table 25. LSI oscillator characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
Table 26. Low-power mode wakeup timings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
Table 27. PLL characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
Table 28. Flash memory characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
Table 29. Flash memory endurance and data retention . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
Table 30. EMS characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
Table 31. EMI characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
Table 32. ESD absolute maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
Table 33. Electrical sensitivities . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
Table 34. I/O current injection susceptibility . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
Table 35. I/O static characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
Table 36. Output voltage characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
Table 37. I/O AC characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
Table 38. NRST pin characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
Table 39. TIMx characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
Table 40. I
2
C characteristics. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
Table 41. SCL frequency (f
PCLK1
= 36 MHz.,V
DD_I2C
= 3.3 V) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
Table 42. SPI characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
Table 43. USB startup time. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73
Table 44. USB DC electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74

STM32F103CBT6 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
117 页 / 1.91 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
23 页 / 0.6 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
156 页 / 4 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
118 页 / 1.68 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
55 页 / 3.58 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
14 页 / 0.12 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
96 页 / 1.4 MByte

STM32F103 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STM32F103 系列微处理器,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 设备 **STM32F103** Cortex-M3 芯具有 72 MHz CPU 的速度和高达 1 MB 的闪存。 包含电动机控制外围设备以及 CAN 和 USB 全速接口。 STM32 系列 ARM Cortex-M3 32 位闪存微控制器工作时具有低功率、低电压,并结合了实时功能的极佳性能。 封装类型系列可用于您的嵌入式应用。 MCU 体系结构具有一个易于使用的 STM32 平台,可用于包括电动机驱动;PC 和游戏;HVAC 和工业应用在内的应用。 32 位 RISC 引脚到引脚软件兼容 SRAM 高达 96 Kb 闪存高达 1MB 电源:2 V 至 3.6 V 温度范围:-40 至 +85 °C 或 -40 至 +105 °C ### STM32F1 系列 32 位 ARM® Cortex®-M3 微控制器,STMicroelectronics32 位闪存微控制器的 STM32 系列基于 ARM Cortex™ M3 核心的突破 - 为嵌入式应用特别开发的核心。 STM32 系列得益于 Cortex-M3 体系结构增强功能,包括为传达改进性能而设置的 Thumb-2 指令,带更好的编码密度,对中断更快的反应,所有的均和领先的工业功耗相接合。出色的实时表现 卓越功效 卓越的和新型的外围设备 最大程度的集成 跨族引脚,外围设备和软件兼容性
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STM32F103ZET6  芯片, 微控制器, 32位, ARM CORTEXM3, 72MHZ, 144-LQFP
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STM32F103RCT6  微控制器, 32位, 电机控制, ARM 皮质-M3, 72 MHz, 256 KB, 48 KB, 64 引脚, LQFP
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STM32F103VET6  微控制器, 32位, 电机控制, ARM 皮质-M3, 72 MHz, 512 KB, 64 KB, 100 引脚, LQFP
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STM32F103VCT6  微控制器, 32位, 电机控制, ARM 皮质-M3, 72 MHz, 256 KB, 48 KB, 100 引脚, LQFP
ST Microelectronics(意法半导体)
STM32F103 系列微处理器,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 设备 **STM32F103** Cortex-M3 芯具有 72 MHz CPU 的速度和高达 1 MB 的闪存。 包含电动机控制外围设备以及 CAN 和 USB 全速接口。 STM32 系列 ARM Cortex-M3 32 位闪存微控制器工作时具有低功率、低电压,并结合了实时功能的极佳性能。 封装类型系列可用于您的嵌入式应用。 MCU 体系结构具有一个易于使用的 STM32 平台,可用于包括电动机驱动;PC 和游戏;HVAC 和工业应用在内的应用。 32 位 RISC 引脚到引脚软件兼容 SRAM 高达 96 Kb 闪存高达 1MB 电源:2 V 至 3.6 V 温度范围:-40 至 +85 °C 或 -40 至 +105 °C
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STM32F103CBT6  微控制器, 32位, 电机控制, ARM 皮质-M3, 72 MHz, 128 KB, 20 KB, 48 引脚, LQFP
ST Microelectronics(意法半导体)
STM32F103 系列微处理器,STMicroelectronicsSTMicroelectronics 设备 **STM32F103** Cortex-M3 芯具有 72 MHz CPU 的速度和高达 1 MB 的闪存。 包含电动机控制外围设备以及 CAN 和 USB 全速接口。 STM32 系列 ARM Cortex-M3 32 位闪存微控制器工作时具有低功率、低电压,并结合了实时功能的极佳性能。 封装类型系列可用于您的嵌入式应用。 MCU 体系结构具有一个易于使用的 STM32 平台,可用于包括电动机驱动;PC 和游戏;HVAC 和工业应用在内的应用。 32 位 RISC 引脚到引脚软件兼容 SRAM 高达 96 Kb 闪存高达 1MB 电源:2 V 至 3.6 V 温度范围:-40 至 +85 °C 或 -40 至 +105 °C ### STM32F1 系列 32 位 ARM® Cortex®-M3 微控制器,STMicroelectronics32 位闪存微控制器的 STM32 系列基于 ARM Cortex™ M3 核心的突破 - 为嵌入式应用特别开发的核心。 STM32 系列得益于 Cortex-M3 体系结构增强功能,包括为传达改进性能而设置的 Thumb-2 指令,带更好的编码密度,对中断更快的反应,所有的均和领先的工业功耗相接合。出色的实时表现 卓越功效 卓越的和新型的外围设备 最大程度的集成 跨族引脚,外围设备和软件兼容性
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STM32F103VBT6  微控制器, 32位, 电机控制, ARM 皮质-M3, 72 MHz, 128 KB, 20 KB, 100 引脚, LQFP
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STM32F103R8T6  微控制器, 32位, 电机控制, ARM 皮质-M3, 72 MHz, 64 KB, 20 KB, 64 引脚, LQFP
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件