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STM32F205VGT6 产品手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

微控制器

封装:

LQFP-100

描述:

STMICROELECTRONICS STM32F205VGT6 微控制器, 32位, 高级连接和加密, ARM 皮质-M3, 120 MHz, 1 MB, 132 KB, 100 引脚, LQFP

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封装尺寸在P138

型号编码规则在P146

封装信息在P138P139P140P141P142P143P144P145

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STM32F205xx, STM32F207xx List of tables

Doc ID 15818 Rev 7 5/163

List of tables

Table 1. Device summary . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

Table 2. STM32F205xx and STM32F207xx features and peripheral counts . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

Table 3. Timer feature comparison . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

Table 4. USART feature comparison . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28

Table 5. STM32F20x pin and ball definitions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

Table 6. Alternate function mapping . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48

Table 7. Voltage characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56

Table 8. Current characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57

Table 9. Thermal characteristics. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57

Table 10. General operating conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57

Table 11. Limitations depending on the operating power supply range . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59

Table 12. Operating conditions at power-up / power-down (regulator ON) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61

Table 13. Operating conditions at power-up / power-down (regulator OFF). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61

Table 14. Embedded reset and power control block characteristics. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62

Table 15. Typical and maximum current consumption in Run mode, code with data processing

running from Flash memory (ART accelerator disabled) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64

Table 16. Typical and maximum current consumption in Run mode, code with data processing

running from Flash memory (ART accelerator enabled) or RAM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65

Table 17. Typical and maximum current consumption in Sleep mode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68

Table 18. Typical and maximum current consumptions in Stop mode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70

Table 19. Typical and maximum current consumptions in Standby mode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71

Table 20. Typical and maximum current consumptions in V

BAT

mode. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71

Table 21. Peripheral current consumption . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72

Table 22. Low-power mode wakeup timings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74

Table 23. High-speed external user clock characteristics. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75

Table 24. Low-speed external user clock characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75

Table 25. HSE 4-26 MHz oscillator characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77

Table 26. LSE oscillator characteristics (f

LSE

= 32.768 kHz) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78

Table 27. HSI oscillator characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79

Table 28. LSI oscillator characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80

Table 29. Main PLL characteristics. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80

Table 30. PLLI2S (audio PLL) characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81

Table 31. SSCG parameters constraint . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83

Table 32. Flash memory characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84

Table 33. Flash memory programming. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85

Table 34. Flash memory programming with V

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86

Table 35. Flash memory endurance and data retention . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86

Table 36. EMS characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87

Table 37. EMI characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88

Table 38. ESD absolute maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88

Table 39. Electrical sensitivities . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89

Table 40. I/O current injection susceptibility . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89

Table 41. I/O static characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90

Table 42. Output voltage characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91

Table 43. I/O AC characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92

Table 44. NRST pin characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 94

Table 45. Characteristics of TIMx connected to the APB1 domain . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95

Table 46. Characteristics of TIMx connected to the APB2 domain . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96

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STM32F205/215，ARM® 32 位 Cortex™-M3 微控制器STMicroelectronics 高性能 ARM® Cortex M3 **STM32F205/215** MCU 系列，CPU 频率高达 120 MHz，高达 1 MB 闪存和高级连接。应用包括电动机驱动/应用控制、医疗设备、工业应用、报警系统、视频对讲机、HVAC 和家用音频应用。 STM32F2x5 ARM 处理器包含 12 位 ADC、DAC、RTC、16位计时器，包括两个 PWM 计时器（用于控制电动机）、32位计时器、真随机数生成器 (RNG)，并都提供各种封装类型。实时存储器加速器 (ART Accelerator™) 低功率应用，带省电模式设置外围设备因微控制器而不同 I2C、SPI、I2S、USART、USB OTG 高速、USB OTG、CAN 温度范围：-40 至 +105°C ### STM32F2 系列 32 位 ARM® Cortex®-M3 微控制器，STMicroelectronics32 位闪存微控制器的 STM32 系列基于 ARM Cortex™ M3 核心的突破 - 为嵌入式应用特别开发的核心。 STM32 系列得益于 Cortex-M3 体系结构增强功能。 120MHz Cortex™-M3 CPU 出色的实时表现卓越功效卓越的和新型的外围设备最大程度的集成跨族引脚，外围设备和软件兼容性

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