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￥ 0.382
CSD25481F4 其他数据使用手册 - TI（德州仪器）
制造商:
TI（德州仪器）
分类:
MOS管
封装:
PICOSTAR-3
描述:
P 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD25481W4
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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CSD25481F4数据手册
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100
0
1
2
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4
5
6
7
Output Current (A)
Efficiency (%)
Power Loss (W)
V
GS
= 5V
V
IN
= 12V
V
OUT
= 1.3V
L
OUT
= 0.95µH
f
SW
= 500kHz
T
A
= 25ºC
G001
VDD
GND
ENABLE
PWM
BOOT
DRVH
LL
DRVL
V
DD
ENABLE
PWM
V
IN
V
IN
V
SW
P
GND
V
OUT
Driver IC
CSD87381P
TG
BG
1
V
IN
P
GND
BG
TG
V
SW
Product
Folder
Sample &
Buy
Technical
Documents
Tools &
Software
Support &
Community
CSD87381P
ZHCSAY2F –MARCH 2013–REVISED MARCH 2015
CSD87381P 同同步步降降压压 NexFET™ 电电源源块块 II
1 特特性性 3 说说明明
1
• 半桥电源块
此 CSD87381P NexFET™ 电源块 II 是针对同步降压
应用的高度优化设计，能够在 3mm × 2.5mm 的小外
• 10A 电流下的系统效率达 90%
形尺寸封装内提供大电流和高效率。 针对 5V 栅极驱
• 工作电流高达 15A
动应用进行了优化，这款产品可提供高效且灵活的解决
• 高密度 - 3mm × 2.5mm 接合栅格阵列封装 (LGA)
尺寸
方案，在与外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动器
• 双侧冷却能力
配套使用时，可提供一个高密度电源。
• 超薄 - 最大厚度为 0.48mm
增增加加文文本本，，调调节节间间距距
• 针对 5V 栅极驱动进行了优化
器器件件信信息息
(1)
• 低开关损耗
器器件件 介介质质 数数量量 封封装装 出出货货
• 低电感封装
CSD87381P 13 英寸卷带 2500
3mm x 2.5mm
卷带封装
LGA
CSD87381PT 7 英寸卷带 250
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
(1) 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。
• 无铅
增增加加文文本本，，调调节节间间距距
2 应应用用范范围围
• 同步降压转换器
– 高电流、低占空比应用
• 多相位同步降压转换器
• 负载点 (POL) 直流 - 直流转换器
典典型型电电路路 典典型型电电源源块块效效率率与与功功率率损损耗耗
1
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English Data Sheet: SLPS405
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