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CSD87355Q5D 其他数据使用手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
MOS管
封装:
LSON-CLIP
描述:
CSD87355Q5D 同步降压 NexFET™ 电源块
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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CSD87355Q5D数据手册
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Output Current (A)
Efficiency (%)
Power Loss (W)
0 5 10 15 20 25 30 35 40
74 0
76 1
78 2
80 3
82 4
84 5
86 6
88 7
90 8
92 9
94 10
96 11
D001
V
GS
= 5 V
V
IN
= 12 V
V
OUT
= 1.3 V
L
OUT
= 0.3 PH
f
SW
= 500 kHz
T
A
= 25qC
VDD
GND
ENABLE
PWM
BOOT
DRVH
LL
DRVL
V
DD
ENABLE
PWM
V
IN
V
IN
V
SW
P
GND
V
OUT
Driver IC
CSD87350Q5D
T
G
T
GR
B
G
Control
FET
Sync
FET
P0116-01
1
2
3
V
SW
V
SW
V
SW
4
B
G
5
T
GR
6
T
G
P
GND
(Pin9)
7
V
IN
8
V
IN
Product
Folder
Order
Now
Technical
Documents
Tools &
Software
Support &
Community
An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,
intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.
English Data Sheet: SLPS288
CSD87350Q5D
ZHCS110E –MARCH 2011–REVISED FEBRUARY 2017
CSD87350Q5D 同同步步降降压压 NexFET™电电源源块块
1
1 特特性性
1
• 半桥电源块
• 25A 电流下系统效率达 90%
• 工作电流高达 40A
• 高频工作(高达 1.5MHz)
• 高密度 SON 5mm × 6mm 封装
• 针对 5V 栅极驱动进行了优化
• 开关损耗较低
• 超低电感封装
• 符合 RoHS 标准
• 无卤素
• 无铅引脚镀层
2 应应用用范范围围
• 同步降压转换器
– 高频 应用
– 高电流、低占空比 应用
• 多相位同步降压转换器
• 负载点直流 - 直流转换器
• IMVP、VRM 和 VRD 应用
3 说说明明
CSD87350Q5D NexFET™电源块是面向同步降压 应
用 的优化设计方案,能够以 5mm × 6mm 的小巧外形
提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V
栅极驱动 应用进行了优化,可提供一套灵活的解决方
案,在与来自外部控制器或驱动器的任一 5V 栅极驱动
配套使用时,均可提供高密度电源。
俯俯视视图图
器器件件信信息息
(1)
器器件件 包包装装介介质质 数数量量 封封装装 运运输输
CSD87350Q5D 13 英寸卷带 2500
小外形尺寸无引线
(SON)
5mm × 6mm
塑料封装
卷带封装
(1) 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。
典典型型电电路路 典典型型电电源源块块效效率率与与功功率率损损耗耗
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