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CSD87355Q5D
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  • 典型应用电路图在P13P14
  • 原理图在P10
  • 封装尺寸在P1P21P22
  • 封装信息在P21P22
  • 技术参数、封装参数在P3
  • 电气规格在P4
CSD87355Q5D数据手册
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Output Current (A)
Efficiency (%)
Power Loss (W)
0 5 10 15 20 25 30 35 40
74 0
76 1
78 2
80 3
82 4
84 5
86 6
88 7
90 8
92 9
94 10
96 11
D001
V
GS
= 5 V
V
IN
= 12 V
V
OUT
= 1.3 V
L
OUT
= 0.3 PH
f
SW
= 500 kHz
T
A
= 25qC
VDD
GND
ENABLE
PWM
BOOT
DRVH
LL
DRVL
V
DD
ENABLE
PWM
V
IN
V
IN
V
SW
P
GND
V
OUT
Driver IC
CSD87350Q5D
T
G
T
GR
B
G
Control
FET
Sync
FET
P0116-01
1
2
3
V
SW
V
SW
V
SW
4
B
G
5
T
GR
6
T
G
P
GND
(Pin9)
7
V
IN
8
V
IN
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An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,
intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.
English Data Sheet: SLPS288
CSD87350Q5D
ZHCS110E MARCH 2011REVISED FEBRUARY 2017
CSD87350Q5D 同步步降 NexFET™电源源块
1
1 特性
1
半桥电源块
25A 电流下系统效率达 90%
工作电流高达 40A
高频工作(高达 1.5MHz
高密度 SON 5mm × 6mm 封装
针对 5V 栅极驱动进行了优化
开关损耗较低
超低电感封装
符合 RoHS 标准
无卤素
无铅引脚镀层
2 应用用范
同步降压转换器
高频 应用
高电流、低占空比 应用
多相位同步降压转换器
负载点直流 - 直流转换器
IMVPVRM VRD 应用
3 说明
CSD87350Q5D NexFET™电源块是面向同步降压
的优化设计方案,能够以 5mm × 6mm 的小巧外形
提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V
栅极驱动 应用进行了优化,可提供一套灵活的解决方
案,在与来自外部控制器或驱动器的任一 5V 栅极驱动
配套使用时,均可提供高密度电源。
俯视视图
器件件信
(1)
器件 包装装介 数量 运输
CSD87350Q5D 13 英寸卷带 2500
小外形尺寸无引线
(SON)
5mm × 6mm
塑料封装
卷带封装
(1) 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。
典型型电 典型型电源块块效率与与功率损损耗

CSD87355Q5D 数据手册

TI(德州仪器)
23 页 / 0.49 MByte
TI(德州仪器)
19 页 / 0.66 MByte
TI(德州仪器)
23 页 / 1.22 MByte

CSD87355Q5 数据手册

TI(德州仪器)
CSD87355Q5D 同步降压 NexFET™ 电源块
TI(德州仪器)
30V、N 沟道同步降压 NexFET MOSFET™、SON5x6 电源块、45A 8-LSON-CLIP -55 to 150
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