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器件3D模型￥ 0.137
DTC115EETL 其他数据使用手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
制造商:
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:
双极性晶体管
封装:
SC-75-3
描述:
NPN 100毫安50V数字晶体管（偏置电阻内置晶体管） NPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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DTC115EETL数据手册
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DTC115E series
Datasheet
llAbsolute maximum ratings (T
a
= 25°C)
Parameter Symbol Values Unit
Supply voltage
V
CC
50 V
Input voltage
V
IN
-10 to 40 V
Output current
I
O
20 mA
Collector current
I
C(MAX)
*1
100 mA
Power dissipation
DTC115EM
P
D
*2
150
mW
DTC115EEB 150
DTC115EE 150
DTC115EUB 200
DTC115EUA 200
DTC115EKA 200
Junction temperature
T
j
150 ℃
Range of storage temperature
T
stg
-55 to +150 ℃
llElectrical characteristics (T
a
= 25°C)
Parameter Symbol Conditions
Values
Unit
Min. Typ. Max.
Input voltage
V
I(off)
V
CC
= 5V, I
O
= 100μA - - 0.5
V
V
I(on)
V
O
= 0.3V, I
O
= 1mA
3.0 - -
Output voltage
V
O(on)
I
O
= 5mA, I
I
= 0.25mA
- 100 300 mV
Input current
I
I
V
I
= 5V
- - 150 μA
Output current
I
O(off)
V
CC
= 50V, V
I
= 0V
- - 500 nA
DC current gain
G
I
V
O
= 5V, I
O
= 5mA
82 - - -
Input resistance
R
1
- 70 100 130 kΩ
Resistance ratio
R
2
/R
1
- 0.8 1.0 1.2 -
Transition frequency
f
T
*1
V
CE
= 10V, I
E
= -5mA,
f = 100MHz
- 250 - MHz
*1 Characteristics of built-in transistor
*2 Each terminal mounted on a reference land
www.rohm.com
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20160208 - Rev.002
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