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FDMS6681Z 其他数据使用手册 - Fairchild（飞兆/仙童）
制造商:
Fairchild（飞兆/仙童）
分类:
MOS管
封装:
Power-56-8
描述:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS6681Z 晶体管, MOSFET, P沟道, -49 A, -30 V, 0.0027 ohm, -10 V, -1.7 V
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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FDMS6681Z数据手册
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FDMS6681Z P-Channel PowerTrench
®
MOSFET
www.fairchildsemi.com
5©2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS6681Z Rev.1.4
Figure 13. Single Pulse Maximum
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
100
1000
10000
100000
P
(PK)
, PEAK TRANSIENT POWER (W)
SINGLE PULSE
R
θJC
= 1.7
o
C/W
T
C
= 25
o
C
t, PULSE WIDTH (s)
Power Dissipation
Figure 14.
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
0.001
0.01
0.1
1
SINGLE PULSE
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
r(t), NORMALIZED EFFECTIVE
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
2
NOTES:
Z
θJC
(t) = r(t) x R
θJC
R
θJC
= 1.7
o
C/W
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
Peak T
J
= P
DM
x Z
θJC
(t) + T
C
P
DM
t
1
t
2
Transient Thermal Response Curve
Typical Characteristics T
J
= 25 °C unless otherwise noted.
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