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IRF3704ZCSPBF
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IRF3704ZCSPBF数据手册
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IRFR/U3704PbF
www.irf.com 3
Fig 2. Typical Output Characteristics
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
10
100
1000
3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0
V = 15V
20µs PULSE WIDTH
DS
V , Gate-to-Source Voltage (V)
I , Drain-to-Source Current (A)
GS
D
T = 25 C
J
°
T = 175 C
J
°
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
T , Junction Temperature ( C)
R , Drain-to-Source On Resistance
(Normalized)
J
DS(on)
°
V =
I =
GS
D
10V
75A
0.1 1 10 100
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
I
D
,
D
r
a
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
C
u
r
r
e
n
t
(
A
)
3.5V
20µs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
VGS
TOP 10.0V
9.0V
8.0V
7.0V
6.0V
5.0V
4.5V
BOTTOM 3.5V
0.1 1 10 100
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
I
D
,
D
r
a
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
C
u
r
r
e
n
t
(
A
)
3.5V
20µs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
VGS
TOP 10.0V
9.00V
8.0V
7.0V
6.0V
5.0V
4.5V
BOTTOM 3.5V

IRF3704ZCSPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.34 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
6 页 / 3.97 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.21 MByte

IRF3704 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 20V , RDS(ON)最大值= 9.0mohm ,ID = 77A ) Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=77A)
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 60A 至 79A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 20V 67A
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 20V 77A
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
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