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NAND256W3A2BN6E
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  • 典型应用电路图在P7P15
  • 型号编码规则在P7P53
  • 技术参数、封装参数在P36
NAND256W3A2BN6E数据手册
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NAND128-A, NAND256-A Contents
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6.4 Copy back program . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
6.5 Block erase . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
6.6 Reset . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
6.7 Read status register . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
6.7.1 Write protection bit (SR7) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
6.7.2 P/E/R controller bit (SR6) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
6.7.3 Error bit (SR0) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
6.8 Read electronic signature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
7 Software algorithms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
7.1 Bad block management . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
7.2 Block replacement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
7.3 Garbage collection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
7.4 Wear-leveling algorithm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
7.5 Error correction code . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
7.6 Hardware simulation models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
7.6.1 Behavioral simulation models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
7.6.2 IBIS simulations models . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
8 Program and erase times and endurance cycles . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
9 Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
10 DC and AC parameters . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
10.1 Ready/busy signal electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
10.2 Data protection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
11 Package mechanical . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
12 Ordering information . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
Appendix A Hardware interface examples . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
13 Revision history . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56

NAND256W3A2BN6E 数据手册

Numonyx
58 页 / 1.37 MByte

NAND256W3A2BN6 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
128兆, 256兆, 512兆, 1千兆( X8 / X16 ), 528字节/字264页, 1.8V / 3V , NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
Micron(镁光)
Micron(镁光)
MICRON  NAND256W3A2BN6E  闪存, 与非, 256 Mbit, 32K x 8位, TSOP, 48 引脚
ST Microelectronics(意法半导体)
128兆, 256兆, 512兆, 1千兆( X8 / X16 ), 528字节/字264页, 1.8V / 3V , NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
ST Microelectronics(意法半导体)
128兆, 256兆, 512兆, 1千兆( X8 / X16 ), 528字节/字264页, 1.8V / 3V , NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
ST Microelectronics(意法半导体)
128兆, 256兆, 512兆, 1千兆( X8 / X16 ), 528字节/字264页, 1.8V / 3V , NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
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