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NAND256W3A2BN6E
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  • 典型应用电路图在P7P15
  • 型号编码规则在P7P53
  • 技术参数、封装参数在P36
NAND256W3A2BN6E数据手册
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NAND128-A, NAND256-A List of figures
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List of figures
Figure 1. Logic diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
Figure 2. Logic block diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
Figure 3. TSOP48 connections, x8 devices. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
Figure 4. TSOP48 connections, x16 devices. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
Figure 5. VFBGA55 connections, x8 devices (top view through package) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
Figure 6. VFBGA55 connections, x16 devices (top view through package) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
Figure 7. Memory array organization. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
Figure 8. Pointer operations. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
Figure 9. Pointer operations for programming . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
Figure 10. Read (A, B, C) operations. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
Figure 11. Read block diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
Figure 12. Sequential row read operations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
Figure 13. Sequential row read block diagrams. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
Figure 14. Page program operation. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
Figure 15. Copy back operation. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
Figure 16. Block erase operation. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
Figure 17. Bad block management flowchart. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
Figure 18. Garbage collection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
Figure 19. Error detection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
Figure 20. Equivalent testing circuit for AC characteristics measurement. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
Figure 21. Command Latch AC waveforms. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
Figure 22. Address Latch AC waveforms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
Figure 23. Data Input Latch AC waveforms. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
Figure 24. Sequential data output after read AC waveforms. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
Figure 25. Read status register AC waveform. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
Figure 26. Read electronic signature AC waveform . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
Figure 27. Page read A/read B operation AC waveform . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
Figure 28. Read C operation, one page AC waveform . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
Figure 29. Page program AC waveform . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
Figure 30. Block erase AC waveform . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
Figure 31. Reset AC waveform . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
Figure 32. Ready/Busy AC waveform . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
Figure 33. Ready/busy load circuit. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
Figure 34. Resistor value versus waveform timings for Ready/Busy signal. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
Figure 35. Data protection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
Figure 36. TSOP48 - 48 lead plastic thin small outline, 12 x 20 mm, package outline . . . . . . . . . . . . 50
Figure 37. VFBGA55 8 x 10 mm - 6 x 8 active ball array, 0.80 mm pitch, package outline. . . . . . . . . 51
Figure 38. Connection to microcontroller, without glue logic . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
Figure 39. Connection to microcontroller, with glue logic . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
Figure 40. Building storage modules . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55

NAND256W3A2BN6E 数据手册

Numonyx
58 页 / 1.37 MByte

NAND256W3A2BN6 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
128兆, 256兆, 512兆, 1千兆( X8 / X16 ), 528字节/字264页, 1.8V / 3V , NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
Micron(镁光)
Micron(镁光)
MICRON  NAND256W3A2BN6E  闪存, 与非, 256 Mbit, 32K x 8位, TSOP, 48 引脚
ST Microelectronics(意法半导体)
128兆, 256兆, 512兆, 1千兆( X8 / X16 ), 528字节/字264页, 1.8V / 3V , NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
ST Microelectronics(意法半导体)
128兆, 256兆, 512兆, 1千兆( X8 / X16 ), 528字节/字264页, 1.8V / 3V , NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
ST Microelectronics(意法半导体)
128兆, 256兆, 512兆, 1千兆( X8 / X16 ), 528字节/字264页, 1.8V / 3V , NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
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