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RRQ045P03TR 其他数据使用手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
制造商:
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:
MOS管
封装:
TSOT-23-6
描述:
P-沟道 30 V 35 mOhm 1.25 W 表面贴装 Mosfet - T表面贴装-6
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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标记信息在P1
封装信息在P1
技术参数、封装参数在P1
电气规格在P2P3
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RRQ045P03TR数据手册
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RRQ045P03
Datasheet
www.rohm.com
© 2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
RRQ045P03
Pch -30V -4.5A Power MOSFET
lOutline
V
DSS
-30V
TSMT6
R
DS(on)
(Max.)
35mW
I
D
-4.5A
P
D
1.25W
lFeatures
lInner circuit
1) Low on - resistance.
2) Built-in G-S Protection Diode.
3) Small Surface Mount Package (TSMT6).
4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant
lPackaging specifications
Type
Packaging
Taping
lApplication
Reel size (mm)
180
DC/DC converters
Tape width (mm)
8
Basic ordering unit (pcs)
3,000
Drain - Source voltage
V
DSS
-30
V
Taping code
TR
Marking
UB
lAbsolute maximum ratings(T
a
= 25°C)
Parameter
Symbol
Value
Unit
Continuous drain current
I
D
*1
4.5
A
Pulsed drain current
I
D,pulse
*2
18
A
Power dissipation
Gate - Source voltage
V
GSS
20
V
P
D
*3
1.25
W
P
D
*4
0.6
W
Junction temperature
T
j
150
°C
Range of storage temperature
T
stg
-55 to +150
°C
(2)
(1)
(4)
(3)
(5)
(6)
*1 ESD PROTECTION DIODE
*2 BODY DIODE
(1) Drain
(2) Drain
(3) Gate
(4) Source
(5) Drain
(6) Drain
1/11
2013.01 - Rev.C
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