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RRQ045P03TR 其他数据使用手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
制造商:
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:
MOS管
封装:
TSOT-23-6
描述:
P-沟道 30 V 35 mOhm 1.25 W 表面贴装 Mosfet - T表面贴装-6
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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技术参数、封装参数在P1
电气规格在P2P3
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RRQ045P03TR数据手册
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Data Sheet
RRQ045P03
lElectrical characteristic curves
1
10
100
1000
0.0001 0.01 1 100
T
a
=25ºC
Single Pulse
0.01
0.1
1
10
100
0.1 1 10 100
T
a
=25ºC
Single Pulse
Mounted on a ceramic board.
(30mm × 30mm × 0.8mm)
Operation in this area
is limited by R
DS
(on)
(V
GS
= 10V)
P
W
= 1ms
P
W
= 10ms
DC Operation
P
W
= 100ms
0.001
0.01
0.1
1
10
0.0001 0.01 1 100
top D = 1
D = 0.5
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.01
bottom Single
T
a
=25ºC
Single Pulse
Rth(ch-a)=100ºC/W
Rth(ch-a)(t)=r(t)×Rth(ch-a)
Mounted on ceramic board
(30mm × 30mm × 0.8mm)
Fig.1 Power Dissipation Derating Curve
Fig.2 Maximum Safe Operating Area
Power Dissipation : P
D
/P
D
max. [%]
Drain Current : -I
D
[A]
Fig.3 Normalized Transient Thermal
Resistance vs. Pulse Width
Fig.4 Single Pulse Maxmum Power
dissipation
Normalized Transient Thermal Resistance : r
(t)
Pulse Width : P
W
[s] Pulse Width : P
W
[s]
Peak Transient Power : P(W)
Junction Temperature : Tj [°C]
Drain - Source Voltage : -V
DS
[V]
0
20
40
60
80
100
120
0 50 100 150 200
4/11
2013.01 - Rev.C
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