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￥ 2.942
STD10P6F6 其他数据使用手册 - ST Microelectronics（意法半导体）
制造商:
ST Microelectronics（意法半导体）
分类:
MOS管
封装:
TO-252-3
描述:
P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
Pictures:
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STD10P6F6数据手册
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This is information on a product in full production.
July 2015 DocID022967 Rev 5 1/24
STD10P6F6, STF10P6F6,
STP10P6F6, STU10P6F6
P-channel -60 V, 0.13 Ω typ., -10 A STripFET™ F6
Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages
Datasheet
−
production data
Figure 1. Internal schematic diagram
Features
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
Applications
• Switching applications
Description
These devices are P-channel Power MOSFETs
developed using the STripFET™ F6 technology,
with a new trench gate structure. The resulting
Power MOSFETs exhibit very low R
DS(on)
in all
packages.
, TAB
AM11258v1
DPAK
1
3
TAB
1
2
3
TAB
TO-220
3
2
1
TAB
IPAK
1
2
3
TO-220FP
Order codes V
DS
R
DS(on)
max I
D
STD10P6F6
-60 V 0.16 Ω -10 A
STF10P6F6
STP10P6F6
STU10P6F6
Table 1. Device summary
Order codes Marking Package Packing
STD10P6F6
10P6F6
DPAK Tape and reel
STF10P6F6 TO-220FP
TubeSTP10P6F6 TO-220
STU10P6F6 IPAK
www.st.com
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