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STD10P6F6 其他数据使用手册 - ST Microelectronics（意法半导体）
制造商:
ST Microelectronics（意法半导体）
分类:
MOS管
封装:
TO-252-3
描述:
P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
Pictures:
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STD10P6F6数据手册
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Electrical characteristics STD10P6F6, STF10P6F6, STP10P6F6, STU10P6F6
6/24 DocID022967 Rev 5
2.1 Electrical characteristics (curves)
Note: For the P-channel Power MOSFET, current and voltage polarities are reversed.
Figure 2. Safe operating area for DPAK, TO-220
and IPAK
Figure 3. Thermal impedance DPAK, TO-220
and IPAK
I
D
0.1
0.01
0.1
1
V
DS
(V)
10
(A)
Operation in this area is
Limited by max R
DS(on)
100µs
1ms
10ms
Tj= 175°C
Tc=25°C
Single
pulse
1
10
AM15408v1
Single pulse
δ=0.5
0.05
0.02
0.01
0.1
0.2
K
10
t
p(s)
-4
10
-3
10
-1
10
-5
10
-2
10
-2
10
-1
pcb
GIPG180420141107SA
Figure 4. Safe operating area for TO-220FP Figure 5. Thermal impedance for TO-220FP
I
D
1
0.1
0.1
1
V
DS
(V)
10
(A)
Operation in this area is
Limited by max R
DS(on)
100µs
1ms
10ms
Tj= 175°C
Tc=25°C
Single
pulse
10
AM15492v1
Single pulse
δ=0.5
0.05
0.02
0.01
K
10
t
p
(s)
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
-5
10
-2
10
-1
AM15493v1
Figure 6. Output characteristics Figure 7. Transfer characteristics
I
D
15
10
5
0
0
10
V
DS
(V)
(A)
5
20
V
GS
= 4 V
V
GS
= 5 V
V
GS
= 10 V
25
V
GS
= 6 V
AM15340v1
I
D
15
10
5
0
2
4
V
GS
(V)
6
(A)
3
5
7
20
8
V
DS
= 9 V
9
10
25
AM15346v1
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