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STD10P6F6 其他数据使用手册 - ST Microelectronics（意法半导体）
制造商:
ST Microelectronics（意法半导体）
分类:
MOS管
封装:
TO-252-3
描述:
P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
Pictures:
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符号图
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STD10P6F6数据手册
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DocID022967 Rev 5 3/24
STD10P6F6, STF10P6F6, STP10P6F6, STU10P6F6 Electrical ratings
24
1 Electrical ratings
Table 2. Absolute maximum ratings
Symbol Parameter
Value
Unit
DPAK
IPAK
TO-220FP TO-220
V
DS
Drain-source voltage -60 V
V
GS
Gate-source voltage ± 20 V
I
D
(1)
1. Limited by package
Drain current (continuous) at T
C
= 25 °C -10 A
I
D
Drain current (continuous) at T
C
= 100 °C -7.2 A
I
DM
(2)
2. Pulse width limited by safe operating area
Drain current (pulsed) -40 A
P
TOT
Total dissipation at T
C
= 25 °C 35 20 30 W
E
AS
Single pulse avalanche energy
(starting T
J
=25 °C, I
D
=-3 A, V
DD
=40 V)
80 mJ
V
ISO
Insulation withstand voltage (RMS) from all
three leads to external heat sink
(t=1 s; T
C
=25 °C)
2500 V
V
DG
Drain-gate voltage (V
GS
= 0) -20 V
T
stg
Storage temperature -55 to 175 °C
T
j
Max. operating junction temperature 175 °C
Table 3. Thermal data
Symbol Parameter
Value
Unit
DPAK IPAK TO-220FP TO-220
R
thj-case
Thermal resistance junction-case max 4.29 7.5 5 °C/W
R
thj-amb
Thermal resistance junction-ambient max 100 62.5 62.5 °C/W
R
thj-pcb
Thermal resistance junction-pcb max
(1)
1. When mounted on 1 inch
2
FR-4, 2 Oz copper board
50 °C/W
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