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STD7N52DK3 产品封装文件 - ST Microelectronics（意法半导体）
制造商:
ST Microelectronics（意法半导体）
分类:
MOS管
封装:
TO-252-3
描述:
STMICROELECTRONICS STD7N52DK3 晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 525 V, 0.95 ohm, 10 V, 3.75 V
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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STD7N52DK3数据手册
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Figure 7. Gate charge vs gate-source voltage
V
GS
6
4
2
0
0
Q
g
(nC)
(V)
30
8
10
20
10
V
DD
=420V
I
D
=6A
12
300
200
100
0
400
50
V
DS
150
250
350
450
AM07190v1
V
DS
(V)
Figure 8. Static drain-source on-resistance
R
DS(on)
0.94
0.92
0.90
0.
88
0
2
I
D
(A)
(
Ω)
1
3
0.96
0.9
8
1.00
1.02
V
GS
=10V
1.04
1.06
5
4
6
AM07191v1
Figure 9. Capacitance variations
C
1000
100
10
1
0.1
10
V
DS
(V)
(pF)
1
100
Cis s
Cos s
Crs s
AM07192v1
Figure 10. Output capacitance stored energy
E
oss
1.5
1.0
0.5
0
0
100
V
DS
(V)
(
µJ)
400
2.0
200
300
2.5
3.0
500
3.5
4.0
AM07193v1
Figure 11. Normalized gate threshold voltage vs
temperature
V
GS(th)
1.00
0.90
0.
80
0.70
-75
T
J
(°C)
(norm)
-25
1.10
75
25
125
AM07194v1
Figure 12. Normalized on-resistance vs temperature
R
DS(on)
1.5
1.0
0.5
0.0
-75
T
J
(°C)
(norm)
-25
75
25
125
2.0
2.5
AM07195v1
STD7N52DK3, STF7N52DK3
Electrical characteristics (curves)
DS6515 - Rev 3
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