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STD13N60M2 产品封装文件 - ST Microelectronics（意法半导体）
制造商:
ST Microelectronics（意法半导体）
分类:
MOS管
封装:
TO-252-3
描述:
N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源（LLC 转换器）。 其配置具有低栅极电荷，以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
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STD13N60M2数据手册
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1 Electrical ratings
Table 1. Absolute maximum ratings
Symbol Parameter Value Unit
V
GS
Gate-source voltage ± 25 V
I
D
Drain current (continuous) at T
C
= 25 °C
11 A
I
D
Drain current (continuous) at T
C
= 100 °C
7 A
I
DM
(1)
Drain current (pulsed) 44 A
P
TOT
Total power dissipation at T
C
= 25 °C
110 W
dv/dt
(2)
Peak diode recovery voltage slope 15
V/ns
dv/dt
(3)
MOSFET dv/dt ruggedness 50
T
stg
Storage temperature range
- 55 to 150 °C
T
j
Operating junction temperature range
1. Pulse width limited by safe operating area.
2. I
SD
≤ 11 A, di/dt ≤ 400 A/µs; V
DS peak
< V
(BR)DSS
, V
DD
= 400 V
3. V
DS
≤ 480 V.
Table 2. Thermal data
Symbol
Parameter
Value
Unit
D²PAK DPAK
R
thj-case
Thermal resistance junction-case 1.14
°C/W
R
thj-pcb
(1)
Thermal resistance junction-pcb 30 50
1. When mounted on FR-4 board of 1 inch², 2 oz Cu.
Table 3. Avalanche characteristics
Symbol
Parameter Value Unit
I
AR
Avalanche current, repetetive or not repetetive (pulse width limited by T
jmax.
)
2.8 A
E
AS
Single pulse avalanche energy (starting T
j
= 25 °C, I
D
= I
AR
; V
DD
= 50 V)
125 mJ
STB13N60M2, STD13N60M2
Electrical ratings
DS9632 - Rev 5
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