Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > ON Semiconductor（安森美） > D45H11G 数据手册 > D45H11G 其他数据使用手册 3/9 页
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D45H11G 其他数据使用手册 - ON Semiconductor（安森美）
制造商:
ON Semiconductor（安森美）
分类:
双极性晶体管
封装:
TO-220-3
描述:
PNP 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
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D45H11G数据手册
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SiHH11N60E
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Vishay Siliconix
S15-2031-Rev. A, 24-Aug-15
3
Document Number: 91651
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TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
Fig. 1 - Typical Output Characteristics
Fig. 2 - Typical Output Characteristics
Fig. 3 - Typical Transfer Characteristics
Fig. 4 - Normalized On-Resistance vs. Temperature
Fig. 5 - Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
Fig. 6 - C
OSS
and E
OSS
vs. V
DS
0
10
20
30
0 5 10 15 20 25 30
I
D
, Drain-to-Source Current (A)
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
T
J
= 25 °C
TOP 15 V
14 V
13 V
12 V
11 V
10 V
9 V
8 V
7 V
6 V
BOTTOM 5 V
0
5
10
15
20
0 5 10 15 20 25 30
I
D
, Drain-to-Source Current (A)
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
T
J
= 150 °C
TOP 15 V
14 V
13 V
12 V
11 V
10 V
9 V
8 V
7 V
6 V
BOTTOM 5 V
0
10
20
30
0 5 10 15 20 25
I
D
, Drain-to-Source Current (A)
V
GS
, Gate-to-Source Voltage (V)
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
V
DS
= 30 V
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
R
DS(on)
, Drain-to-Source On-Resistance
(Normalized)
T
J
, Junction Temperature (°C)
I
D
= 5.5 A
V
GS
= 10 V
1
10
100
1000
10 000
0 100 200 300 400 500 600
C, Capacitance (pF)
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
C
iss
C
oss
C
rss
V
GS
= 0 V, f = 1 MHz
C
iss
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
shorted
C
rss
= C
gd
C
oss
= C
ds
+ C
gd
0
1
2
3
4
5
6
7
8
10
100
1000
10 000
0100200300400500600
E
oss
(μJ)
C
oss
(pF)
V
DS
C
oss
E
oss
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