Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > ON Semiconductor（安森美） > D45H11G 数据手册 > D45H11G 其他数据使用手册 4/9 页
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D45H11G 其他数据使用手册 - ON Semiconductor（安森美）
制造商:
ON Semiconductor（安森美）
分类:
双极性晶体管
封装:
TO-220-3
描述:
PNP 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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D45H11G数据手册
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SiHH11N60E
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Vishay Siliconix
S15-2031-Rev. A, 24-Aug-15
4
Document Number: 91651
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Fig. 7 - Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage
Fig. 8 - Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig. 9 - Maximum Safe Operating Area
Fig. 10 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature
Fig. 11 - Temperature vs. Drain-to-Source Voltage
0
4
8
12
16
20
24
0 15304560
V
GS
, Gate-to-Source Voltage (V)
Q
g
, Total Gate Charge (nC)
V
DS
= 480 V
V
DS
= 300 V
V
DS
= 120 V
0.1
1
10
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
I
SD
, Reverse Drain Current (A)
V
SD
, Source-Drain Voltage (V)
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
V
GS
= 0 V
0.01
0.1
1
10
100
1101001000
I
D
, Drain Current (A)
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
* V
GS
> minimum V
GS
at which R
DS(on)
is specied
Limited by R
DS(on)
*
1 ms
I
DM
Limited
T
C
= 25 °C
T
J
= 150 °C
Single Pulse
BVDSS Limited
10 ms
100 μs
Operation in this Area
Limited by R
DS(on)
0
3
6
9
12
25 50 75 100 125 150
I
D
, Drain Current (A)
T
C
, Case Temperature (°C)
575
600
625
650
675
700
725
750
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
V
DS
, Drain-to-Source Breakdown Voltage (V)
T
J
, Junction Temperature (°C)
I
D
= 250 μA
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