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D45H11G 其他数据使用手册 - ON Semiconductor（安森美）
制造商:
ON Semiconductor（安森美）
分类:
双极性晶体管
封装:
TO-220-3
描述:
PNP 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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D45H11G数据手册
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SiHH11N60E
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Vishay Siliconix
S15-2031-Rev. A, 24-Aug-15
5
Document Number: 91651
For technical questions, contact: hvm@vishay.com
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Fig. 12 - Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Fig. 13 - Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Fig. 14 - Switching Time Test Circuit
Fig. 15 - Switching Time Waveforms
Fig. 16 - Unclamped Inductive Test Circuit
Fig. 17 - Unclamped Inductive Waveforms
0.01
0.1
1
0.000001 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1
Normalized Effective Transient
Thermal Impedance
Pulse Time (s)
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.001
0.01
0.1
1
0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
Normalized Effective Transient
Thermal Impedance
Pulse Time (s)
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Pulse width ≤ 1 µs
Duty factor ≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
10 V
+
-
V
DS
V
DD
V
DS
90 %
10 %
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
R
G
I
AS
0.01 Ω
t
p
D.U.T
L
V
DS
+
-
V
DD
10 V
Vary t
p
to obtain
required I
AS
I
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V
DS
V
DD
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DS
t
p
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